论文题目：压接型IGBT器件失效短路演化机制及耐受能力研究

答  辩  人：刘人宽

导       师：李辉

答辩委员会主席：杜  雄  教授  博导  重庆大学

答辩委员会委员：陈显平  教授  博导  重庆大学

                         罗皓泽  教授  博导  浙江大学

                         蒋华平  特聘研究员 博导  重庆大学

                         查鲲鹏  教授级高工  中电普瑞电力工程有限公司

答 辩 秘 书：姚然 助理研究员

答 辩 地 点：6329会议室

答 辩 时 间：2023年5月24日10:30

欢迎广大师生光临指导